PMGD290XN,115 与 BSD840N H6327 区别
| 型号 | PMGD290XN,115 | BSD840N H6327 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3n-PMGD290XN,115 | A-BSD840N H6327 | ||||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 410mW | 500mW(1/2W) | ||||
| 宽度 | - | 1.25mm | ||||
| 上升时间 | - | 2.2ns,2.2ns | ||||
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V | ||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 260pC,260pC | ||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | 8V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 2.5S,2.5S | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 7.8ns,7.8ns | ||||
| FET类型 | N-Channel | 2N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT363 | PG-SOT363-6 | ||||
| 连续漏极电流Id | 0.86A | 880mA | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||
| 通道数量 | - | 2Channel | ||||
| 配置 | - | Dual | ||||
| 系列 | - | BSD840 | ||||
| 长度 | - | 2.00mm | ||||
| 下降时间 | - | 900ps,900ps | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 1.9ns,1.9ns | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 350mΩ@200mA,4.5V | 270mΩ | ||||
| 高度 | - | 0.90mm | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 350mΩ@200mA,4.5V 410mW 0.86A ±12V 20V -55°C~150°C |
￥0.6518
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0 | 当前型号 | ||||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
暂无价格 | 84,000 | 对比 | ||||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
￥0.6792
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2,153 | 对比 | ||||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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BSD840N H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 880mA 270mΩ 8V 500mW(1/2W) 2N-Channel -55°C~150°C 车规 PG-SOT363-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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NTJD4401NT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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